在工业加工和激光泵浦场景中，大功率EEL芯片的散热问题一直是工程师的噩梦。多芯片泵浦外壳内，结温远高于实验条件下的测试值——功率骤降、效率滑坡、寿命缩短，最终导致设备停机、成本飙升。更棘手的是，市场对亮度和结温的要求持续攀升，而传统对称宽波导设计在功率、远场、效率、温度特性之间难以兼顾。
柠檬光子976nm 55W EEL芯片：直击三大核心痛点
我们推出的新一代976nm边发射激光芯片，从外延到封装彻底重构了性能平衡。以型号976-400μm为例：连续输出功率达53W（@55A），峰值光电转化效率高达75%，工作点效率仍保持65%以上。这意味着，相比同类产品，你的系统功耗更低、发热更少——散热压力直接减负。
高温光衰严重？2500小时无功率衰减
实测数据显示，芯片在连续高温环境下运行超过2500小时，归一化功率始终维持在1.0附近，毫无下降迹象。这得益于极低内部损耗的MBE固体源外延技术，以及优化的腔面处理工艺，显著提升了灾变性光学损伤阈值。无论是激光泵浦的连续高温工作，还是工业加工的长时间满载运行，你都能获得长期稳定的输出。
功率与亮度不可兼得？非对称波导打破魔咒
传统对称宽波导虽能提升功率，但远场发散角大、光斑质量差。柠檬光子采用非对称、薄p层设计，慢轴远场角压缩至9°~10°，快轴约40°，在相同条宽下获得更高功率密度。330μm×6.2mm版本同样实现52W输出，且光电效率保持75%峰值——你可以根据封装需求灵活选择芯片尺寸，无需牺牲亮度。
痛点三：散热限制功率提升？芯片+封装协同优化
我们意识到，单纯提升芯片功率而不改善散热只会加剧热失效。因此，芯片设计阶段即与新型封装技术协同：增大芯片表面积（400μm×5.4mm或330μm×6.2mm）直接优化热传导路径，配合更高导热率的衬底材料与冷却方式，使结温显著降低。即便在多芯片泵浦外壳中，也能稳定工作在预期温度区间。
你的实际收益：更低的每瓦成本，更高的加工良率
工业加工：976nm波长在金属吸收峰附近，配合53W高功率与75%电光效率，同等电流下切割速度提升15%，能耗降低20%。
激光泵浦：高温长寿命特性让泵浦源免于频繁更换，整机维护成本下降30%以上。
柠檬光子提供完整的芯片尺寸与远场选项，并针对客户实际使用场景（如脉冲/连续模式、环境温度、散热条件）进行定制化优化。从外延生长到腔面镀膜，每一片芯片都经过严格的环境可靠性试验，确保在-40°C~85°C范围内稳定工作。
立即体验柠檬光子976nm EEL。告别散热焦虑，拥抱高功率、高效率、高可靠性的新一代激光芯片。
